通过提升数值孔径的方式来提升晶片制造过程里的金属间隔。
仙女山控股旗下的海湾科技，其研发的heuv—800光刻机，就是属于这种高数值孔径euv光刻机。
其初代原型机，也就是a型多年前就已经进行各种测试了，不过并没有交付给晶圆厂，而是用于内部研发测试。
去年的时候，海湾科技向智云微电子交付了第一台heuv—800b机型用于各种测试，不过依旧存在诸多问题，这种状态的光刻机依旧是属于实验产品，不属于量产交付型号。
但是今年秋天，海湾科技正式向智云微电子交付了heuv—800型号光刻机，这个型号已经是属于量产交付型号了，智云微电子打算用这款光刻机为核心光刻机，用来打造n2工艺。
这款heuv—80光刻机最为核心的性能指标就是，在理论上能够把晶片里的金属间隔做到十六纳米————远远小于现在的euv光刻机的二十五纳米左右。
在n5工艺以下，晶片的金属间隔哪怕缩小一纳米，也能带来非常明显的性能提升，但是越小提升也就越难。
在二十五、二十六纳米时代里，euv光刻机单次曝光即可。
但是在二十一纳米到二十四纳米之后，就需要euv光刻机进行多次曝光了————这也是n3工艺的晶片对比n4/n5工艺的晶片贵一大截的主要原因，曝光次数一多，良率就会下降，成本瞬间就上去了。
而到了智云微电子正在研发的n2工艺里，那么就更难了————因为这个工艺的金属间隔已经来到了二十纳米，依靠传统euv光刻机生产的话，不是不能做，而是需要非常复杂的工艺，成本也会上涨到商业无法接受的程度。
这就需要更先进的光刻机了，即高数值孔径光刻机：heuv—800系列！
这种光刻机从理论上来说，是能够把金属间隔做到十六纳米的————当然，这只是理论的物理上限，具体能够做到，就需要依靠智云微电子这种工艺厂商的技术了。
世人常说的n3/n5/n7工艺，是各大厂商自称的等效工艺，并不是说物理工艺，通常来说，形成工艺的先进程度，尤其是衡量光刻机性能水平的是指金属间隔」。
现在的n3工艺，其金属间隔大概在二十多纳米，不同厂商有不同的技术标准————所以不同厂商之间的n3工艺，其实金属间隔差别会比较大。
同时晶片性能的提升，也不是说只有缩小金属