间隔这一条技术路线，还有其他的很多技术路线，同样可以实现n3工艺级别的性能。
这里只说代表物理极限，最能体现一家半导体厂商硬实力的金属间隔。
同样的光刻机，在不同的半导体厂商里，所能做的工艺是不一样的————而且差距会特别大。
但是对于智云微电子而言，问题不大，他们的技术积累足够雄厚，研发人员足够牛逼————只要海湾科技能够提供理论上满足要求的光刻机设备，他们就能够不断地在工艺上进步，然后一步一步的逼近其物理极限。
当年，智云微电子可是用duv光刻机就大规模量产七纳米工艺，甚至一度打算采用duv
光刻机量产五纳米工艺————只不过后来euv光刻机发展顺利，用不着继续走这么极端的技术路线而已。
最近几年的n2工艺的早期研发，也是用传统euv光刻机来做的————
同时智云微电子还在持续的在n3工艺上不断进行探索，在n3工艺之外，又开发了n3l
工艺和n3工艺————
其最先进的n3工艺，其金属间隔已经来到了二十二纳米，对比n3工艺的性能其实已经有了非常大的提升，并且已经无限逼近传统euv光刻机的物理极限了。
在逼近设备物理极限上，智云微电子是有着非常丰富的经验的。
只要给他们足够先进的设备，他们就能够把这些先进设备的性能给发挥出来！
在高数值孔径euv光刻机里也是同样如此！
而当第一台heuv—800光刻机交付之后，通城这个半导体城市又成为了全球范围内，首家拥有量产型号高数值孔径的城市，也是第一个拥有n2工艺晶圆厂的城市！
因为n2工艺的重要性，直接关系到下一代多种先进逻辑晶片能否顺利投产，影响到未来人工智慧技术的整体提升。
徐申学对此也比较重视，在这台光刻机安装调试完毕，进行技术验证的时候，他也特地飞过来看了其技术验证情况！
而进行试产的晶片，则是智云半导体专门为下一代量子综合算力系统而准备的ap08000算力卡。
一种性能极其强悍的gpu算力卡！
（还有耶）